Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 4 | 0.79€ | 0.95€ |
5 - 9 | 0.75€ | 0.90€ |
10 - 24 | 0.71€ | 0.85€ |
25 - 49 | 0.67€ | 0.80€ |
50 - 99 | 0.65€ | 0.78€ |
100 - 249 | 0.51€ | 0.61€ |
250 - 2000 | 0.48€ | 0.58€ |
Menge | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.79€ | 0.95€ |
5 - 9 | 0.75€ | 0.90€ |
10 - 24 | 0.71€ | 0.85€ |
25 - 49 | 0.67€ | 0.80€ |
50 - 99 | 0.65€ | 0.78€ |
100 - 249 | 0.51€ | 0.61€ |
250 - 2000 | 0.48€ | 0.58€ |
P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -40V, -3.1A - SI2319CDS-T1-GE3. P-Kanal-Transistor, PCB-Lötung (SMD), SOT-23, -40V, -3.1A. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P7. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 60 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 27 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 595pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 08:25.
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.