Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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P50N03A-SMD. C(in): 2780pF. Kosten): 641pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 34 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 50A. IDSS: 50uA. IDSS (max): 50A. Pd (Verlustleistung, max): 59.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 5.1M Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 (D2PAK). Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 05:25.

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