Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

PMBT4401

PMBT4401
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2 - 2 1.22€ 1.46€
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Set mit 10

PMBT4401. C(in): 30pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.6A. Ic(Impuls): 0.8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: p2X, t2X, W2X. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P2X, T2X, W2X, Komplementärtransistor (Paar) PMBT4401. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 19:25.

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