Menge (Set mit 10) | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 1 | 1.29€ | 1.55€ |
2 - 2 | 1.22€ | 1.46€ |
3 - 4 | 1.16€ | 1.39€ |
5 - 9 | 1.09€ | 1.31€ |
Menge (Set mit 10) | U.P | |
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1 - 1 | 1.29€ | 1.55€ |
2 - 2 | 1.22€ | 1.46€ |
3 - 4 | 1.16€ | 1.39€ |
5 - 9 | 1.09€ | 1.31€ |
PMBT4401. C(in): 30pF. Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 0.6A. Ic(Impuls): 0.8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: p2X, t2X, W2X. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P2X, T2X, W2X, Komplementärtransistor (Paar) PMBT4401. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 19:25.
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