Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

PMBT4403

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PMBT4403. Kosten): 29pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 600mA. Ic(Impuls): 800mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: *T2, P2T, T2T, W2T. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P2T, T2T, W2T, Komplementärtransistor (Paar) PMBT4401. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.

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