Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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RFD8P05SM

RFD8P05SM
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RFD8P05SM. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 125us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 25uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D8P05. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 42 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: Power MOSFET MegaFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 50V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 20A. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.

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SPD08P06P

SPD08P06P

C(in): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 60us. Trans...
SPD08P06P
C(in): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 60us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S-Schutz: NINCS
SPD08P06P
C(in): 335pF. Kosten): 105pF. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 60us. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 35A. ID (T=100°C): 6.2A. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.1uA. Pd (Verlustleistung, max): 42W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 48 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: ID pulse 35.2A. G-S-Schutz: NINCS
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