Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

RGP20D

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RGP20D. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2A. Hinweis: Ifsm--80A/8.2ms. Teilung: 9.5x5.3mm. VRRM: 200V. Hinweis: GI, S. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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Cj: 190pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Avalanche Sinterglasdiode schnell“. Produktionsdatum: 201412. Vorwärtsstrom (AV): 3.5A. IFSM: 90A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV28-200. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS
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