Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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RK7002. C(in): 25pF. Kosten): 10pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schnittstelle und Vermittlung. Id(imp): 0.8A. ID (T=25°C): 115mA. IDSS (max): 115mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RKM. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 20 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Silicon N-channel MOSFET. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 17:25.

Technische Dokumentation

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RoHS: ja. C(in): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. ...
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RoHS: ja. C(in): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Kleinsignal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 0.8A. ID (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. IDSS (max): 500uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 702. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Einschaltwiderstand Rds On: 7.5 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: V-MOS. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: 702. G-S-Schutz: NINCS
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