Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SI4401DY. Kanaltyp: P. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 45ms. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 15:25.

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Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 35ms. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 97 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
SI4401BDY
Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 35ms. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 50A. ID (T=100°C): 5.9A. ID (T=25°C): 8.7A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 97 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 40V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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