Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

SP0010-91630

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SP0010-91630. C(in): 8180pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 630 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit“. Id(imp): 267A. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 77.5A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6R041P6. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 481W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.041 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 29 ns. Technologie: CoolMOS ™ P6 Power Transistor. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 09:25.

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C(in): 2320pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige Gate-Ladung“. Id(imp): 51A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 17N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 208W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 77 ns. Td(on): 45 ns. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS
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