Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SPP08N80C3

SPP08N80C3
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SPP08N80C3. C(in): 1100pF. Kosten): 46pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 08N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 104W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.56 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 11A. Pd (Verlustleistung, max): 156W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Funktion: ID pulse 33A. Menge pro Karton: 1
SPP11N80C3
Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 11A. Pd (Verlustleistung, max): 156W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Cool Mos. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 800V. Funktion: ID pulse 33A. Menge pro Karton: 1
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Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max):...
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Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 205W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 900V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 45 nC, niedriger CrSS 14 pF
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Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 205W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.12 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Spannung Vds(max): 900V. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 45 nC, niedriger CrSS 14 pF
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