Stmicroelectronics STP11NM60 N-Kanal MDmesh Leistungs-MOSFET, 600V Drain-Source, 11A Dauer-Drainstro

Technische Produktbeschreibung (STP11NM60):

Max. Drain-Source-Spannung Vds(max): 600V. Max. Drain-Source-Leckstrom Idss (max): 10uA. Dauer-Drainstrom ID (T=25°C): 11A. Dauer-Drainstrom ID (T=100°C): 7A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohm. Gehäuse: TO-220. RoHS-konform: Ja. Besondere Merkmale: Hohe dv/dt- und Avalanche-Fähigkeiten. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montageart: PCB-Durchsteckmontage. Kanaltyp: N-Kanal. Transistortyp: MOSFET. Hauptmerkmale: Geringe Eingangskapazität, geringer Einschaltwiderstand, geringe Gate-Ladung. Technologie: MDmesh Power MOSFET. Max. Betriebstemperatur: +150°C. Gate-Source-Schutz: Nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 6 ns. Min. Drain-Source-Leckstrom IDss (min): 1uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 20 ns. Puls-Drainstrom Id(imp): 44A. Min. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th): 3V. Eingangskapazität C(in): 1000pF. Ausgangskapazität C(oss): 230pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 390 ns. Max. Verlustleistung Pd: 160W. Drain-Source-Schutz: Zener-Diode. Max. Gate-Source-Spannung Vgs: 30V. Verpackung: Kunststoffröhre, 50 Einheiten pro Röhre.