STMicroelectronics STP11NM80 N-Kanal MDmesh MOSFET, 800V, 11A, TO-220

Technische Produktbeschreibung (STP11NM80):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 800V. Drain-Source-Leckstrom Idss (max): 100uA. Drainstrom Id (T=25°C): 11A. Drainstrom Id (T=100°C): 4.7A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.35 Ohms. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220. Gehäuse: TO-220. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Niedrige Eingangskapazität, Widerstand und Gate-Ladung. Technologie: MDmesh MOSFET. Gate-Source-Schutz: nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 46 ns. Drain-Source-Leckstrom Idss (min): 10uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 22 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Pulsierter Drainstrom Id(imp): 44A. Gehäusemarkierung: P11NM80. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 3V. Eingangskapazität C (in): 1630pF. Ausgangskapazität C (out): 750pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 612 ns. Max. Verlustleistung: 150W. Verpackung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Gate-Source-Spannung Vgs: 30V. Verpackungseinheit: 50