STMicroelectronics STP200N4F3 N-Kanal STripFET™ Leistungs-MOSFET, 40V, 60.4k Ohms, TO-220

Technische Produktbeschreibung (STP200N4F3):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 40V. Drain-Source-Leckstrom Idss (max): 100uA. Drainstrom Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Drainstrom Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Durchlasswiderstand Rds On: 3M Ohms. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220. Gehäuse: TO-220. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltanwendungen, Automobilanwendungen. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Gate-Source-Schutz: nein. Ausschaltverzögerungszeit Td(off): 90 ns. Drain-Source-Leckstrom Idss (min): 10uA. Einschaltverzögerungszeit Td(on): 19 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Pulsierter Drainstrom Id(imp): 480A. Gehäusemarkierung: 200N4F3. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) min.: 2V. Eingangskapazität C (in): 5100pF. Ausgangskapazität C (out): 1270pF. Dioden-Sperrverzögerungszeit Trr (Min.): 67 ns. Max. Verlustleistung: 300W. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Gate-Source-Spannung Vgs: 20V. Gate-Source-Schwellenspannung Vgs(th) max.: 4V