Stmicroelectronics STP20NM60FD N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, 600V, 20A, 0,26 Ohm Rds(on), TO-220

Technische Produktbeschreibung (STP20NM60FD):

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET mit schneller Diodentechnologie. Maximale Drain-Source-Spannung Vds 600V, kontinuierlicher Drainstrom ID 20A (bei 25°C) und Einschaltwiderstand Rds(on) 0,26 Ohm. TO-220AB Gehäuse für PCB-Durchsteckmontage. Merkmale: niedrige Gate-Kapazität und eine maximale Verlustleistung von 192W. RoHS-konform. Betriebstemperatur bis +150°C.