STMicroelectronics STP36NF06FP N-Kanal STripFET II Leistungs-MOSFET, 60V, 18A, TO-220FP

Technische Produktbeschreibung (STP36NF06FP):

Drain-Source-Spannung Vds(max): 60V. Drain-Source-Leckstrom Idss (max): 18A. Drainstrom Id (T=25°C): 18A. Drainstrom Id (T=100°C): 12A. Durchlasswiderstand Rds On: 0.032 Ohms. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-220FP. Gehäuse: TO-220FP. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatte. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Trr 65ns, hohe dv/dt-Leistung. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Menge pro Gehäuse: 1. Pulsierter Drainstrom Id(imp): 72A. Max. Verlustleistung: 25W