Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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STP80NF70. C(in): 2550pF. Kosten): 550pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 392A. ID (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 80NF70. Pd (Verlustleistung, max): 190W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 90 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 68V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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