Toshiba 2SK3878 N-Kanal MOSFET 900V 9A TO-3P

Technische Produktbeschreibung (2SK3878):

Spannung Vds(max): 900V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 9A. ID (T=100°C): 5.3A. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. Gehäuse (gemäß Datenblatt): TO-3P. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). RoHS: ja. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spezifische Info: Vth=2.0 bis 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). Anzahl der Anschlüsse: 3. Montage/Installation: Durchsteckmontage für Leiterplatten. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregleranwendungen. G-S Schutz: ja. Td(off): 120ns. IDss (min): 1uA. Td(on): 65 ns. Menge pro Gehäuse: 1. Id(imp): 27A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K3878. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 2200pF. C(out): 45pF. Trr Diode (Min.): 1.4us. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Konditionierung: Kunststoffröhre. Drain-Source-Schutz: Diode. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 V. Vgs(th) max.: 4 V. Verpackungseinheit: 25