Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SB865

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. K...
2SB865
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.9W
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D17/C. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1.5A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.9W
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2SB892

2SB892

Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maxim...
2SB892
Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1207
2SB892
Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 560. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 4A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92M ( 9mm ). Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1207
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2SC109

2SC109

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Kollektorstrom: 0.6A. Pd (Verlustleis...
2SC109
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Kollektorstrom: 0.6A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V
2SC109
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 70 MHz. Kollektorstrom: 0.6A. Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V
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2SC1098

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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-202. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. ...
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-202. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-202. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W
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2SC1127-2

2SC1127-2

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): ...
2SC1127-2
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 7.9W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 210V. Spec info: 8-726-720-00
2SC1127-2
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 7.9W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 210V. Spec info: 8-726-720-00
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2SC1209

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
2SC1209
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 700mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 700mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
2SC1210
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V/40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W
2SC1210
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V/40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W
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2SC1211

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
2SC1211
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V/60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W
2SC1211
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V/60V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W
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2SC1213

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W
2SC1213
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 35V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W
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2SC1213A

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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Kollektorstrom: 0.5A. Hinweis: hFE 1...
2SC1213A
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Kollektorstrom: 0.5A. Hinweis: hFE 100..200. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA673A
2SC1213A
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Kollektorstrom: 0.5A. Hinweis: hFE 100..200. Pd (Verlustleistung, max): 0.4W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA673A
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W
2SC1214
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.6W
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
2SC1222
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W
2SC1222
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V/45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W
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2SC1226

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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-202. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. ...
2SC1226
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-202. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W
2SC1226
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-202. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 10W
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W
2SC1313
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W
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2SC1317

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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W
2SC1317
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/25V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.4W
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2SC1342

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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W
2SC1342
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.1W
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W
2SC1359
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30V/20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W
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2SC1360

2SC1360

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: TV-IF. Kollektorstrom: 0.0...
2SC1360
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: TV-IF. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: 9mm Höhe
2SC1360
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Funktion: TV-IF. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: 9mm Höhe
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2SC1390

2SC1390

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
2SC1390
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W
2SC1390
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W
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2SC1398

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage...
2SC1398
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W
2SC1398
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 70V/50V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W
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2SC1413A

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustl...
2SC1413A
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V
2SC1413A
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: TV-HA. Kollektorstrom: 5A. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 500V
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2SC1439

2SC1439

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Kollek...
2SC1439
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V
2SC1439
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: VIDEO-Verstärker.. Kollektorstrom: 0.05A. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V
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RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. K...
2SC1472
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W
2SC1472
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: D35/B. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V/30V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 300mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W
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2SC1505

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage...
2SC1505
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W
2SC1505
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 15W
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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M18/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. A...
2SC1514
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M18/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.25W
2SC1514
RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: M18/J. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.25W
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