Transistoren

Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX551. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 300mA. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 400V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.35V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX451. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 50pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 240 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 35V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.23V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 30pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 175 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.13V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX753. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Kollektorstrom: 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Funktion: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX790

Kosten): 30pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 140 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 40 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.17V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX653. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: ZTX758. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 0.5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 50 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,9V. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 150. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 6A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 600 ns. Tf(min): 35us. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX690

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Minimaler hFE-Gewinn: 300. Kollektorstrom: 2A. Ic(Impuls): 4A. Pd (Verlustleistung, max): 1.5W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 750 ns. Tf(min): 35us. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.45V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 70V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat) 0,95 V

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 130 MHz. Funktion: Sehr niedrige Sättigung VBE(sat)0,92V. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 1.58W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON PLANAR. Tf(max): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 150V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: ZVN3306F. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 5 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 6 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 35pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 0.18A. IDSS (max): 0.18A. Pd (Verlustleistung, max): 0.7W. Einschaltwiderstand Rds On: 10 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 200V. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: ZVP2110A. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 12 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 100pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: ZVP3306F. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -3.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 8 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 50pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.33W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -2.0V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 200pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.75W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 298pF. Kosten): 35pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 0uA. Pd (Verlustleistung, max): 2W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.13 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-MOSFET“. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 70V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS