Transistoren

Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

C(in): 2600pF. Kosten): 280pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1700 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Anwendungen von Schaltreglern. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K20J50D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 280W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Feldeffekt-POWER-MOS-Typ (MOSVII). Gehäuse: TO-3PN ( 2-16C1B ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 800pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 1200 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K6A60D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Einschaltwiderstand Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1050pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 1300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltregler. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 10uA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.95 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 470pF. Kosten): 13pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 230 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: für Schaltspannungsregler. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: TK7P60W. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1350pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 30Ap. IDSS (max): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K8A65D. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10U1B. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 0.3A. IDSS (max): 0.3A. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.3 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: 9.31k Ohms. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 240V. Menge pro Karton: 1

Funktion: SAMSUNG 0505-001417. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SMD SO-8. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Menge pro Karton: 2

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 400V. Kollektorstrom: 1A. Leistung: 1W. Gehäuse: TO-92

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 50V. Kollektorstrom: 3A. Leistung: 0.75W. Max Frequenz: 90MHz. Gehäuse: TO-92

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 58 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 7150pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6435pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 3 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 47 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4456pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 107W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 7 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5022pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 107W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 56 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6870pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PDFN56. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 4 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 78 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 6253pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 136W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -1.5V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 9 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 745pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 0.6V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 8.1 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 21.8 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 562pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.6W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Hohe Geschwindigkeit.. Maximaler hFE-Gewinn: 15. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Kollektorstrom: 18A. Ic(Impuls): 35A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 85W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Tf(max): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. CE-Diode: ja

Kosten): 110pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Vbe(sat)1.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 6A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Transistortyp: NPN. VCBO: 800V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: mit Polarisationswiderstand Rbe. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 110pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Anwendungen für die horizontale Ablenkungsausgabe von Farbfernsehern. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 6A. Ic(Impuls): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: mit Polarisationswiderstand Rbe. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 80pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Anwendungen für die horizontale Ablenkungsausgabe von Farbfernsehern. Maximaler hFE-Gewinn: 10. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 80pF. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Menge pro Karton: 1. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H21. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: *SMD SO6*. Gehäuse (laut Datenblatt): EMT6. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code H21

Kennzeichnung auf dem Gehäuse: H9C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: *SMD SO6*. Gehäuse (laut Datenblatt): EMT6. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 6. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code H9C