Transistoren

Kosten): 180pF. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom: 0.1A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 180pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 0.2W. Kollektorstrom: 0.1A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6B. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 180pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 0.2W. Kollektorstrom: 0.1A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6D. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: INFI->PANAS. Kollektorstrom: 0.1A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja

C(in): 75pF. Kosten): 15pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: 1.6mm. Kollektorstrom: 0.1A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 0.47A. IDSS (max): 0.47A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Einschaltwiderstand Rds On: 3 Ohms. Technologie: V-MOS. Spannung Vds(max): 60V. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB10N07. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 900ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB14N04. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 120ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 500 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB35N07-E. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 800 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNB49N04. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 600 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 2400 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 1.7A. IDSS (max): 75uA. IDss (min): 30uA. Pd (Verlustleistung, max): 7W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Spannung Vds(max): 45V. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 1NV04P

Kosten): 350pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 125 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Vollständig automatisch geschützter Power-Mosfet. G-S-Schutz: Zenerdiode. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 50uA. IGF: 50mA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 230 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 70V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Lineare Strombegrenzung

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Vollständig automatisch geschützter Power-Mosfet. ID (T=25°C): 20A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 50uA. Pd (Verlustleistung, max): 83W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: OMNIFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 70V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 83W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): MOSFET. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNP35N07. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 200 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 1000 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 100 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Verwendet für: Ilim= 35A IR= -50A. Spannung Vds(max): 70V. Vin-Eingangsspannung (max): 18V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: VNP5N07-E. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 100 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 31W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +135°C

Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 107ns. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 3.5A. IDSS (max): 75uA. IDss (min): 30uA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code S3NV04DP. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: S3NV04DP. Pd (Verlustleistung, max): 4W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 450 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 45V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 3V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 53 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 193 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2940pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 277W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 130A. Leistung: 260W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0055 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 200A. Leistung: 260W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0029 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): 60V

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: P. Maximaler Drainstrom: 30A. Leistung: 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.056 Ohms. Gehäuse: TO-220AB. Drain-Source-Spannung (Vds): -100V

Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Kanaltyp: N. Maximaler Drainstrom: 70A. Leistung: 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0086 Ohms. Gehäuse: TO-220. Drain-Source-Spannung (Vds): 100V

Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 10A. IDSS (max): 10A. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Advanced Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Spannung: 60V. Maximaler hFE-Gewinn: 100 (500mA, 2V). Kollektorstrom: 100nA (ICBO). Anzahl der Terminals: 8:1. Max: 140 MHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 2.75W. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SM-8. Transistortyp: PNP & PNP. Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C. Menge pro Karton: 2. Sättigungsspannung VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

Kosten): 120pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 180 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 1200. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 20A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -50...+200°C. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.03V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2000. Funktion: Unijunction-Transistor UJT, Hi-Beta, Lo-Sat. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX788. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 15pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Ic(Impuls): 2A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ZTX550. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS