Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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UG2D. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--80A/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 15 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehä...
UF5404
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 400V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C
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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-201. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 3A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 400V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C
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