Verschiedene integrierte Schaltkreise

Anzahl der Terminals: 28. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28

Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Hinweis: quadratisches Format, SMD. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Hinweis: SAMSUNG

RoHS: NINCS. Gehäuse: SDIP24. Anzahl der Terminals: 24

Hinweis: LIN-IC

Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Hinweis: SONY--HCDN555AV IC101. Anzahl der Terminals: 48. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: QFP. Gehäuse (laut Datenblatt): QFP-48

Anzahl der Terminals: 48. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: QFP. Gehäuse (laut Datenblatt): QFP-48

Hinweis: SMD 20x14mm. Anzahl der Terminals: 64. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: QFP. Gehäuse (laut Datenblatt): QFP-64P-L01

Anzahl der Terminals: 48. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: QFP. Gehäuse (laut Datenblatt): QFP-48

Hinweis: SMD 20x14mm. Anzahl der Terminals: 64. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: QFP. Gehäuse (laut Datenblatt): QFP-64P-L01

Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Hinweis: SCM7550. Hinweis: SAMSUNG

Hinweis: SAMSUNG. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Hinweis: CCD-F350/355. Gehäuse (laut Datenblatt): CCD-F150E

Anzahl der Terminals: 64

Funktion: Netzteiltreiber, MOSFET-Treiber. Anderer Name: STR-D2011K, SQD2011K. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2011K. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8

Anzahl der Terminals: 18. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-18

Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Diodenleistung: 385mW. Funktion: Vierfache Diodenmatrize TVS 6,8 V. Hinweis: Spitzenverlustleistung 75 W/20 us. Hinweis: 16KV ESD Protection, Low Capacitance (40pF). Hinweis: Durchbruchspannung 6,4–7,2 V bei 5 mA. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 68. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 68. Anzahl der Terminals: 6. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-363 ( SC-88 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-363-6 ( SC-88 ) ( SC70-6 ). Betriebstemperatur: -50...+150°C

Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP16. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Analogschalter. Anzahl der Kreise: 4x NC. Maximaler Widerstand (Ohm): 200 Ohms. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. RoHS: ja. Schaltzeit (ein) (ns): 600 ns. Schaltzeit (aus) (ns): 450 ns. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Analoge integrierte Schaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Schaltungstyp: Analogschalter. Anzahl der Kreise: 4x NC. Schaltzeit (ein) (ns): 600 ns. Schaltzeit (aus) (ns): 450 ns. Maximaler Widerstand (Ohm): 200 Ohms. Mindestversorgungsspannung (V): +9V. Maximale Versorgungsspannung (V): +36V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C