Verschiedene Speicherschaltungen

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Schnittstelle: SPI. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Eigenschaften: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Schnittstelle: SPI. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Schnittstelle: SPI. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: FRAM. Schnittstelle: SPI. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Funktion: Erinnerung. Anzahl der Terminals: 8:1. Ein-/Ausgänge: Dual I/O, SPI. Speichertyp: NOR Flash. Programmspeicher: 1Mbit. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Serie: FLASH -Speicher. Stromversorgung: 2.7...3.6V. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP8. Betriebsfrequenz: 80MHz. Betriebstemperatur: -40...85°C

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PLCC32. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speichertyp: FIFO. Speicherschaltkreisfamilie: 72. Speichergröße [Byte]: 512x9-bit. Speicherkonfiguration: 512x9-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 35 ns. Schnittstellentyp: Parallel. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: PLCC32. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 32. Speichertyp: Dualport RAM. Speicherschaltkreisfamilie: 72. Speichergröße [Byte]: 32K x 9-bit. Speicherkonfiguration: 32K x 9-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 25 ns. Schnittstellentyp: Parallel. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Serie: n/a. Speichertyp: SRAM - Asynchronous. Schnittstelle: Parallel. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: 70ns. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Montageart: SMD. Gehäuse: SOP28. Information: n/a. MSL: n/a. Speichergröße: ja. Spannungsversorgung: 4.5...5.5V

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Speichertyp: Analoger Speicher für Audioaufzeichnung. Speicherschaltkreisfamilie: ISD. Speichergröße [Byte]: 32 sec. Speicherkonfiguration: 1 x 32s. Maximales Taktsignal (MHz): 12kHz. Schnittstellentyp: I/O-pin. Mindestversorgungsspannung (V): +2.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): SO16

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO16. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 16. Speichertyp: Analoger Speicher für Audioaufzeichnung. Speicherschaltkreisfamilie: ISD. Speichergröße [Byte]: 40 sec. Speicherkonfiguration: 1 x 40s. Maximales Taktsignal (MHz): 12kHz. Schnittstellentyp: I/O-pin. Mindestversorgungsspannung (V): +2.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): SO

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP28. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 28. Speichertyp: Analoger Speicher für Audioaufzeichnung. Speicherschaltkreisfamilie: ISD. Speichergröße [Byte]: 60 sec. Speicherkonfiguration: 1 x 60s. Maximales Taktsignal (MHz): 12kHz. Schnittstellentyp: Serieller SPI-Bus. Mindestversorgungsspannung (V): +2.4V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C

Hinweis: kommerziellen Temperaturbereich. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-1

Hinweis: industriellen Temperaturbereich. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-1

Hinweis: kommerziellen Temperaturbereich. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-1

Hinweis: kommerziellen Temperaturbereich. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-2

Hinweis: SRAM. Anzahl der Terminals: 28. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28

Serie: n/a. Speichertyp: EEPROM. Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: 900ns. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 2.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Speichertyp: EEPROM. Schnittstelle: I2C. Zugriffszeit: 900ns. Spannungsversorgung: 2.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Serie: n/a. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: EEPROM. Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: 900ns. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 2.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: EEPROM. Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: 50ns. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 0.5-6.5V. Betriebstemperatur: -40...+130°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Eigenschaften: serielle Schnittstelle. Information: n/a. MSL: n/a

Hinweis: CMOS OTP. Anzahl der Terminals: 32. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: PLCC. Gehäuse (laut Datenblatt): PLCC-32

Funktion: OTP-EPROM. Hinweis: 256 Kbit (32Kb × 8). Anzahl der Terminals: 32. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: PLCC. Gehäuse (laut Datenblatt): PLCC-32. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 5V

RoHS: ja. Maximales Taktsignal (MHz): 100 ns. Schnittstellentyp: Parallel. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 12:1. Hinweis: 64kbit TIMEKEEPER SRAM 5V 10%. Hinweis: Batterie/Quarz. Hinweis: 64Kbit (8Kx8). Anzahl der Terminals: 28. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28. VCC: 4.75...5.5V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 12:1. Produktionsdatum: 2015/03. Hinweis: 64kbit TIMEKEEPER SRAM 5V 10%. Hinweis: Batterie/Quarz. Hinweis: 64Kbit (8Kx8). Anzahl der Terminals: 28. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28. VCC: 4.5...5.5V

RoHS: ja. Speicherschaltkreisfamilie: M48Z. Speichergröße [Byte]: 2 KByte. Speicherkonfiguration: 2K x 8-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 70 ns. Schnittstellentyp: Parallel. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Funktion: ja. Anzahl der Terminals: 24. RAM: SRAM 16Kbit (2Kx8). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 4.75...5.5V