Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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M48Z18-100PC1

M48Z18-100PC1

RoHS: ja. Speichergröße [Byte]: 8 KByte. Speicherkonfiguration: 8K x 8-bit. Maximales Taktsignal (...
M48Z18-100PC1
RoHS: ja. Speichergröße [Byte]: 8 KByte. Speicherkonfiguration: 8K x 8-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 100 ns. Schnittstellentyp: Parallel. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 12:1. Hinweis: PCB-Löten. Hinweis: 64Kbit (8Kx8). Anzahl der Terminals: 28. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. VCC: 4.5-5.5V
M48Z18-100PC1
RoHS: ja. Speichergröße [Byte]: 8 KByte. Speicherkonfiguration: 8K x 8-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 100 ns. Schnittstellentyp: Parallel. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 12:1. Hinweis: PCB-Löten. Hinweis: 64Kbit (8Kx8). Anzahl der Terminals: 28. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. VCC: 4.5-5.5V
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M48Z58Y-70PC1

M48Z58Y-70PC1

Hinweis: Vcc 4.5V...5.5V. Hinweis: 64Kbit (8Kx8). Gehäuse (laut Datenblatt): PC DIP-28...
M48Z58Y-70PC1
Hinweis: Vcc 4.5V...5.5V. Hinweis: 64Kbit (8Kx8). Gehäuse (laut Datenblatt): PC DIP-28
M48Z58Y-70PC1
Hinweis: Vcc 4.5V...5.5V. Hinweis: 64Kbit (8Kx8). Gehäuse (laut Datenblatt): PC DIP-28
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M50761-443P

M50761-443P

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage...
M50761-443P
Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
M50761-443P
Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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M93C76-WMN6TP

M93C76-WMN6TP

Anzahl der Terminals: 8:1. Spec info: SPI-Schnittstelle. Montage/Installation: oberflächenmontierte...
M93C76-WMN6TP
Anzahl der Terminals: 8:1. Spec info: SPI-Schnittstelle. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Serie: 93C76. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebsfrequenz: 2 MHz. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Versorgungsspannung: 2.5...5.5V
M93C76-WMN6TP
Anzahl der Terminals: 8:1. Spec info: SPI-Schnittstelle. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Serie: 93C76. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebsfrequenz: 2 MHz. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Versorgungsspannung: 2.5...5.5V
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M95160-WMN6P

M95160-WMN6P

Funktion: EEPROM-Speicher-IC. Hinweis: high speed clock. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montag...
M95160-WMN6P
Funktion: EEPROM-Speicher-IC. Hinweis: high speed clock. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V
M95160-WMN6P
Funktion: EEPROM-Speicher-IC. Hinweis: high speed clock. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V
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M95320-WMN6P

M95320-WMN6P

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Wellenlänge (dominant): EEPROM-Spe...
M95320-WMN6P
Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Wellenlänge (dominant): EEPROM-Speicher-IC. Äquivalente: M95320-WMN6TP. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: 32-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V
M95320-WMN6P
Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Wellenlänge (dominant): EEPROM-Speicher-IC. Äquivalente: M95320-WMN6TP. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: 32-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V
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MAB8051AH-PP086

MAB8051AH-PP086

Hinweis: uC-IC...
MAB8051AH-PP086
Hinweis: uC-IC
MAB8051AH-PP086
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MAB8410PB012

MAB8410PB012

Hinweis: uC-IC...
MAB8410PB012
Hinweis: uC-IC
MAB8410PB012
Hinweis: uC-IC
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MAX662ACPA

MAX662ACPA

Funktion: +12V, 30mA-output, chargepump DC-DC converter. Hinweis: Eingangsspannung 4,5V...5V. Anzahl...
MAX662ACPA
Funktion: +12V, 30mA-output, chargepump DC-DC converter. Hinweis: Eingangsspannung 4,5V...5V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C
MAX662ACPA
Funktion: +12V, 30mA-output, chargepump DC-DC converter. Hinweis: Eingangsspannung 4,5V...5V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C
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MCM2802P

MCM2802P

Hinweis: MEMORY. Hinweis: TV ULTRAVOX...
MCM2802P
Hinweis: MEMORY. Hinweis: TV ULTRAVOX
MCM2802P
Hinweis: MEMORY. Hinweis: TV ULTRAVOX
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MX25L4006EM1I-12G

MX25L4006EM1I-12G

Funktion: FLASH-Speicher mit seriellem Zugriff, CMOS. Anzahl der Terminals: 8:1. Abmessungen: 4.9x3....
MX25L4006EM1I-12G
Funktion: FLASH-Speicher mit seriellem Zugriff, CMOS. Anzahl der Terminals: 8:1. Abmessungen: 4.9x3.9mm. Taktsignal: 86 MHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP8L (150mil). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V
MX25L4006EM1I-12G
Funktion: FLASH-Speicher mit seriellem Zugriff, CMOS. Anzahl der Terminals: 8:1. Abmessungen: 4.9x3.9mm. Taktsignal: 86 MHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP8L (150mil). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V
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MX25L4006EM2I-12G-TUBE

MX25L4006EM2I-12G-TUBE

Funktion: FLASH-Speicher mit seriellem Zugriff, CMOS. Anzahl der Terminals: 8:1. Abmessungen: 5.23x5...
MX25L4006EM2I-12G-TUBE
Funktion: FLASH-Speicher mit seriellem Zugriff, CMOS. Anzahl der Terminals: 8:1. Abmessungen: 5.23x5.28mm. Taktsignal: 86 MHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP8L (200mil). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V
MX25L4006EM2I-12G-TUBE
Funktion: FLASH-Speicher mit seriellem Zugriff, CMOS. Anzahl der Terminals: 8:1. Abmessungen: 5.23x5.28mm. Taktsignal: 86 MHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP8L (200mil). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V
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NVM3060

NVM3060

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP...
NVM3060
Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
NVM3060
Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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PCA9536D

PCA9536D

Funktion: spec. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8...
PCA9536D
Funktion: spec. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8
PCA9536D
Funktion: spec. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8
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PCD8572

PCD8572

Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8...
PCD8572
Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
PCD8572
Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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PCF8583P

PCF8583P

Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h. Anzahl der T...
PCF8583P
Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
PCF8583P
Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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PCF8583T

PCF8583T

Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h. Anzahl der T...
PCF8583T
Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
PCF8583T
Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8
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PCF8594C-2P

PCF8594C-2P

Hinweis: VDD 2.5V...6V...
PCF8594C-2P
Hinweis: VDD 2.5V...6V
PCF8594C-2P
Hinweis: VDD 2.5V...6V
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S29GL128P90FFIR20

S29GL128P90FFIR20

Maximaler Dauerstrom: 110mA. Hinweis: lowest address sector protected. Hinweis: Page Mode Flash Mem...
S29GL128P90FFIR20
Maximaler Dauerstrom: 110mA. Hinweis: lowest address sector protected. Hinweis: Page Mode Flash Memory featuring. Anzahl der Terminals: 64. Abmessungen: 11x13mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: MirrorBit-Prozesstechnologie. Gehäuse: BGA. Gehäuse (laut Datenblatt): „LAA064 Befestigtes Ball Grid Array“. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Versorgungsspannung: 4 v
S29GL128P90FFIR20
Maximaler Dauerstrom: 110mA. Hinweis: lowest address sector protected. Hinweis: Page Mode Flash Memory featuring. Anzahl der Terminals: 64. Abmessungen: 11x13mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: MirrorBit-Prozesstechnologie. Gehäuse: BGA. Gehäuse (laut Datenblatt): „LAA064 Befestigtes Ball Grid Array“. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Versorgungsspannung: 4 v
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SAB8051AP

SAB8051AP

Hinweis: uC-IC...
SAB8051AP
Hinweis: uC-IC
SAB8051AP
Hinweis: uC-IC
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ST24LC21B

ST24LC21B

Hinweis: 2.5V...5.5V. Hinweis: Dual Mode Serial Eeprom. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installat...
ST24LC21B
Hinweis: 2.5V...5.5V. Hinweis: Dual Mode Serial Eeprom. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
ST24LC21B
Hinweis: 2.5V...5.5V. Hinweis: Dual Mode Serial Eeprom. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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TC89101P

TC89101P

Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. GehÃ...
TC89101P
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
TC89101P
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
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UPD41264C-12

UPD41264C-12

RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP2...
UPD41264C-12
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP24S. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 24. Speichertyp: Dualport RAM. Speicherschaltkreisfamilie: uPD41. Speichergröße [Byte]: 256 Kbit. Speicherkonfiguration: 256K x 1-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 120ns. Schnittstellentyp: Parallel. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C
UPD41264C-12
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP24S. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 24. Speichertyp: Dualport RAM. Speicherschaltkreisfamilie: uPD41. Speichergröße [Byte]: 256 Kbit. Speicherkonfiguration: 256K x 1-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 120ns. Schnittstellentyp: Parallel. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C
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W25Q16JVSSIM-TR

W25Q16JVSSIM-TR

Speichertyp: FLASH - NOR. Taktfrequenz: 133MHz. Schreiben Sie die Zykluszeit: 3ms. Betriebstemperatu...
W25Q16JVSSIM-TR
Speichertyp: FLASH - NOR. Taktfrequenz: 133MHz. Schreiben Sie die Zykluszeit: 3ms. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD
W25Q16JVSSIM-TR
Speichertyp: FLASH - NOR. Taktfrequenz: 133MHz. Schreiben Sie die Zykluszeit: 3ms. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD
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W25Q16JVSSIQ-TR

W25Q16JVSSIQ-TR

Speichertyp: FLASH - NOR. Taktfrequenz: 133MHz. Schreiben Sie die Zykluszeit: 3ms. Betriebstemperatu...
W25Q16JVSSIQ-TR
Speichertyp: FLASH - NOR. Taktfrequenz: 133MHz. Schreiben Sie die Zykluszeit: 3ms. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD
W25Q16JVSSIQ-TR
Speichertyp: FLASH - NOR. Taktfrequenz: 133MHz. Schreiben Sie die Zykluszeit: 3ms. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD
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