Verschiedene Speicherschaltungen

Hinweis: kommerziellen Temperaturbereich. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-1

Hinweis: kommerziellen Temperaturbereich. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): TSOP-2

Hinweis: SRAM. Anzahl der Terminals: 28. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28

Serie: n/a. Speichertyp: EEPROM. Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: 900ns. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 2.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Speichertyp: EEPROM. Schnittstelle: I2C. Zugriffszeit: 900ns. Spannungsversorgung: 2.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Serie: n/a. Taktfrequenz: n/a. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: EEPROM. Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: 900ns. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 2.5-5.5V. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Information: n/a. MSL: n/a

Serie: n/a. Speichertyp: EEPROM. Schnittstelle: I2C. Taktfrequenz: n/a. Zugriffszeit: 50ns. Schreiben Sie die Zykluszeit: n/a. Spannungsversorgung: 0.5-6.5V. Betriebstemperatur: -40...+130°C. Montageart: SMD. Gehäuse: SO8. Eigenschaften: serielle Schnittstelle. Information: n/a. MSL: n/a

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP8. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 8:1. Speichertyp: Serielles EEPROM. Speicherschaltkreisfamilie: M24C. Speichergröße [Byte]: 32 Kbit. Speicherkonfiguration: 4K x 8-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 400kHz. Schnittstellentyp: serielle Schnittstelle, I2C-Bus. Mindestversorgungsspannung (V): +2.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +85°C

Hinweis: CMOS OTP. Anzahl der Terminals: 32. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: PLCC. Gehäuse (laut Datenblatt): PLCC-32

Funktion: OTP-EPROM. Hinweis: 256 Kbit (32Kb × 8). Anzahl der Terminals: 32. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: PLCC. Gehäuse (laut Datenblatt): PLCC-32. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 5V

RoHS: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 12:1. Hinweis: 64kbit TIMEKEEPER SRAM 5V 10%. Hinweis: Batterie/Quarz. Hinweis: 64Kbit (8Kx8). Anzahl der Terminals: 28. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28. VCC: 4.75...5.5V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 12:1. Produktionsdatum: 2015/03. Hinweis: 64kbit TIMEKEEPER SRAM 5V 10%. Hinweis: Batterie/Quarz. Hinweis: 64Kbit (8Kx8). Anzahl der Terminals: 28. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-28. VCC: 4.5...5.5V

RoHS: ja. Speicherschaltkreisfamilie: M48Z. Speichergröße [Byte]: 2 KByte. Speicherkonfiguration: 2K x 8-bit. Maximales Taktsignal (MHz): 70 ns. Schnittstellentyp: Parallel. Mindestversorgungsspannung (V): +4.75V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Funktion: ja. Anzahl der Terminals: 24. RAM: SRAM 16Kbit (2Kx8). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Betriebstemperatur: 0...+70°C. VCC: 4.75...5.5V

RoHS: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 12:1. Hinweis: 64Kbit (8Kx8). Anzahl der Terminals: 28. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. VCC: 4.5-5.5V

Hinweis: Vcc 4.5V...5.5V. Hinweis: 64Kbit (8Kx8). Gehäuse (laut Datenblatt): PC DIP-28

Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Anzahl der Terminals: 8:1. Spec info: SPI-Schnittstelle. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Serie: 93C76. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebsfrequenz: 2 MHz. Betriebstemperatur: -40...+85°C. Versorgungsspannung: 2.5...5.5V

Funktion: EEPROM-Speicher-IC. Hinweis: high speed clock. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 100dB. Wellenlänge (dominant): EEPROM-Speicher-IC. Äquivalente: M95320-WMN6TP. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Spec info: 32-Kbit serial SPI bus EEPROM with high-speed clock. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Hinweis: uC-IC

Hinweis: uC-IC

Funktion: +12V, 30mA-output, chargepump DC-DC converter. Hinweis: Eingangsspannung 4,5V...5V. Anzahl der Terminals: 8:1. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Betriebstemperatur: 0...+70°C

Hinweis: MEMORY. Hinweis: TV ULTRAVOX

Funktion: FLASH-Speicher mit seriellem Zugriff, CMOS. Anzahl der Terminals: 8:1. Abmessungen: 4.9x3.9mm. Taktsignal: 86 MHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP8L (150mil). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V

Funktion: FLASH-Speicher mit seriellem Zugriff, CMOS. Anzahl der Terminals: 8:1. Abmessungen: 5.23x5.28mm. Taktsignal: 86 MHz. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOP8L (200mil). Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...3.6V