Verschiedene Speicherschaltungen
NVM3060
Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP...
Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
PCA9536D
Funktion: spec. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8...
Funktion: spec. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8
Funktion: spec. Anzahl der Terminals: 8:1. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SOIC-8
PCD8572
Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8...
Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
PCF8583P
Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h. Anzahl der T...
Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
PCF8583T
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO....
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Funktion: Peripherieschaltkreisuhr, Kalender, Signal, RTC-Schaltkreis. Hinweis: 12&24h
S29GL128P90FFIR20
Maximaler Dauerstrom: 110mA. Abmessungen: 11x13mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmont...
Maximaler Dauerstrom: 110mA. Abmessungen: 11x13mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: MirrorBit-Prozesstechnologie. Gehäuse: BGA. Gehäuse (laut Datenblatt): „LAA064 Befestigtes Ball Grid Array“. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Versorgungsspannung: 4 v. Hinweis: lowest address sector protected. Hinweis: Page Mode Flash Memory featuring. Anzahl der Terminals: 64
Maximaler Dauerstrom: 110mA. Abmessungen: 11x13mm. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: MirrorBit-Prozesstechnologie. Gehäuse: BGA. Gehäuse (laut Datenblatt): „LAA064 Befestigtes Ball Grid Array“. Betriebstemperatur: -40...+85°C. VCC: 2.7...+3.6V. Versorgungsspannung: 4 v. Hinweis: lowest address sector protected. Hinweis: Page Mode Flash Memory featuring. Anzahl der Terminals: 64
ST24LC21B
Hinweis: 2.5V...5.5V. Hinweis: Dual Mode Serial Eeprom. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installat...
Hinweis: 2.5V...5.5V. Hinweis: Dual Mode Serial Eeprom. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
Hinweis: 2.5V...5.5V. Hinweis: Dual Mode Serial Eeprom. Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
TC89101P
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. GehÃ...
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8
UPD41264C-12
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP2...
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP24S. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 24. Speichertyp: Dualport RAM. Speicherschaltkreisfamilie: uPD41. Speichergröße [Byte]: 256 Kbit. Speicherkonfiguration: 256K x 1-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 120ns. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V
RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: Integrierte Speicherschaltung. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DIP24S. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 24. Speichertyp: Dualport RAM. Speicherschaltkreisfamilie: uPD41. Speichergröße [Byte]: 256 Kbit. Speicherkonfiguration: 256K x 1-bit. Schnittstellentyp: Parallel. Betriebstemperaturbereich min (°C): 0°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +70°C. Maximales Taktsignal (MHz): 120ns. Mindestversorgungsspannung (V): +4.5V. Maximale Versorgungsspannung (V): +5.5V
XLS24C04P
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. GehÃ...
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: SAMSUNG
Anzahl der Terminals: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenblatt): DIP-8. Hinweis: SAMSUNG
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