Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1N4448

1N4448
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1N4448. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Siliziumdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-35. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 2A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..5uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.7V @ 5mA. Gehäuse (JEDEC-Standard): 0.45A. Schwellenspannung Vf (max): 1V. VRRM: 100V. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 13:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 300mA. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 25nA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: 0...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 620mV. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec
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Vorwärtsstrom (AV): 300mA. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 25nA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: 0...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 620mV. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec
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