Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

1N4448

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1N4448. VRRM: 100V. Vorwärtsstrom (AV): 0.15A. IFSM: 0.45A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Cj: 4pF. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Spec info: Ifsm--2A, Pluse width = 1uS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 16:25.

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Vorwärtsstrom (AV): 300mA. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: 0...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 620mV
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