Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1N914. Cj: 4pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 300mA. IFSM: 4A. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 25nA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Betriebstemperatur: 0...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 620mV. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 14:25.

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