Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1SS133. Cj: 2pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 130mA. IFSM: 400mA. MRT (maximal): 0.5uA. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. VRRM: 80V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 16:25.

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