Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2N3019-ST

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2N3019-ST. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 10:25.

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RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-39. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-39. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N3019. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.8W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-39 ( TO-205 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-39. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Vebo: 7V
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