Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2N3773

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2N3773. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.2 MHz. Kollektorstrom: 16A. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 140V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 160V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.

Technische Dokumentation

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Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.2 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 16A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 4 v. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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