Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2N5401

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2N5401. RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2N5401. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.

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RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: 2L. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2 L. Äquivalente: MMBT5401LT1G. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 160V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code (2Lx Date Code)
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