Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6488

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6488
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6488. NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Funktion: Verstärker- und Schaltanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6491. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+165°C. VCBO: 90V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3.5V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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NPN-Transistor, 100V, 15A, TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 90W
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2N6488-HTC

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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 90V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6491. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 90V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6491. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN
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