Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6491

NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6491
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NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V - 2N6491. NPN-Transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 90V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2N6488. Bestandsmenge aktualisiert am 21/04/2025, 13:25.

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BD912-ST

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NPN-Transistor, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Date...
BD912-ST
NPN-Transistor, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911
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NPN-Transistor, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 15A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Verlustleistung, max): 90W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD911
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