Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SB1123S

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2SB1123S. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 150 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Minimaler hFE-Gewinn: 140. Kollektorstrom: 2A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code BF. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BF. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SD1623S. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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