Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V - 2SC2682

NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V - 2SC2682
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NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V - 2SC2682. NPN-Transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Funktion: hFE 100...200. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 21:25.

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NPN-Transistor, 100mA, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: NINCS. Kosten): 5.5pF. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 90 MHz. Funktion: VID-L. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Ic(Impuls): 300mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 180V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: TV-NF/E. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1249. Transistortyp: NPN
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