Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC2682

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2SC2682. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126F. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 180V. Funktion: hFE 100...200. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.

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