Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SC5386

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2SC5386. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1.7 MHz. Funktion: High Switching, Horizontal Deflection out. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Minimaler hFE-Gewinn: 4.3. Kollektorstrom: 8A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 20:25.

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2SC5387

2SC5387

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 3V max. Kollektorstrom: 10A. H...
2SC5387
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 3V max. Kollektorstrom: 10A. Hinweis: „Triple Diffused MESA Type“. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)
2SC5387
Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: VCE(sat) 3V max. Kollektorstrom: 10A. Hinweis: „Triple Diffused MESA Type“. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)
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KSC5386TU

KSC5386TU

BE-Widerstand: 10. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1...
KSC5386TU
BE-Widerstand: 10. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Maximaler hFE-Gewinn: 22. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 7A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 4.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
KSC5386TU
BE-Widerstand: 10. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Maximaler hFE-Gewinn: 22. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 7A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 4.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
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