Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

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2SC5449

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2SC5449. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: Horizontale Ablenkungsausgabe. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5449. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Gehäuse: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PFM. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 6V. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 10:25.

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