Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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2SK3264-01MR

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2SK3264-01MR. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. IDSS (max): 7A. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.62 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: SILICON POWER MOS-FET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F15. Spannung Vds(max): 800V. Menge pro Karton: 1. Funktion: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 16:25.

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Kanaltyp: N. Gehäuse: TO-220FP. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Id(imp): 20.8A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P7NK80ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Vgs(th) min.: 3.75V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 5.2A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8 Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V. G-S-Schutz: ja
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