Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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STP7NK80ZFP

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STP7NK80ZFP. Kanaltyp: N. Gehäuse: TO-220FP. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „EXTREM HOHE dv/dt-FÄHIGKEIT“. Id(imp): 20.8A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. IDSS: 1uA. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P7NK80ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: SuperMESH. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Vgs(th) min.: 3.75V. Transistortyp: MOSFET-Leistungstransistor. Maximaler Drainstrom: 5.2A. Einschaltwiderstand Rds On: 1.8 Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Drain-Source-Spannung (Vds): 800V. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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C(in): 1580pF. Kosten): 135pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 690 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Produktionsdatum: 201432. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 59W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 65 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 1320pF. Kosten): 143pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 460 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 24.8A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. IDSS (max): 50uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P8NK80ZFP. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Zenergeschützter Leistungs-MOSFET-Transistor. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja
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