Advanced Power AP4501GM N-P Kanal Komplementäres MOSFET-Paar, SO-8, 2W

Technische Produktbeschreibung (AP4501GM):

RoHS: Ja. Gehäuse: SO. Anzahl der Anschlüsse: 8. Montage/Installation: Oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kanaltyp: N-P. Gehäuse (gemäß Datenblatt): SO-8. Funktion: Rds-on 0.028 Ohm (Q1), 0.050 Ohm (Q2). Technologie: Komplementäres N-Kanal und P-Kanal MOSFET-Transistorpaar. Menge pro Gehäuse: 2. Markierung auf dem Gehäuse: 4501GM. Maximale Verlustleistung: 2W.