Advanced Power AP4511GD N&P-MOSFET Transistor Dual 35V 7A 6.1A DIP-8

Technische Produktbeschreibung (AP4511GD):

N&P-MOSFET Dual-Transistor 35V 7A & 6.1A 2W AP4511GD DIP-8. Kanaltyp: N-P. Menge pro Gehäuse: 2 Stk. Funktion: N&P-MOSFET. Info1: 0.025 Ohm & 0.040 Ohm (25 & 40 mOhm). Pin-Anzahl: 8 Stk. Montage: Durchsteckmontage (THT). Technologie: DIP-8. Gehäuse: DIP.