Anach AF4502C N-P Kanal Komplementäres MOSFET-Paar, SO-8, 2.1W

Technische Produktbeschreibung (AF4502C):

RoHS: Ja. Gehäuse: SO. Anzahl der Anschlüsse: 8. Montage/Installation: Oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kanaltyp: N-P. Gehäuse (gemäß Datenblatt): SO-8. Funktion: Rds-on 0.011 Ohm (Q1), 0.1016 Ohm (Q2). Technologie: Komplementäres N-Kanal und P-Kanal MOSFET-Transistorpaar. Menge pro Gehäuse: 2. Markierung auf dem Gehäuse: 4502C. Maximale Verlustleistung: 2.1W.