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Halbleiter Transistoren

AP4506GEH

AP4506GEH

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2 - 2	5.94€	7.13€
3 - 4	5.63€	6.76€
5 - 9	5.32€	6.38€
10 - 14	5.19€	6.23€

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AP4506GEH. Kanaltyp: N-P. Pd (Verlustleistung, max): 3.1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 4. Hinweis: ID(AV)--N--9A P--8A. Hinweis: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Hinweis: Vdss 30V (N), -30V (P). Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 20:25.

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Ausverkauft

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IRLR2905

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C(in): 1700pF. Kosten): 400pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 2000. M...

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LNK501PN

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RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DIP. Gehäuse (laut Datenb...

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