Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BAS85

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BAS85. Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schnell schaltende Schottky-Barrieredioden aus Glas. MRT (maximal): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semicon. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. Gehäuse: 10pF. Gehäuse: 12....
BAS85-GS08
VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. Gehäuse: 10pF. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. VRRM: 30 v. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.80V / 0.1A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 2uA / 25V. Serie: BAS. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 2uA. Information: 0.2uA. MSL: 200mW. RoHS: ja. Spec info: IFSM 0.6A t=1s. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V
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