Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BAT85S

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BAT85S. Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 30 v. RoHS: ja. Cj: 10pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BAT85S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Teilung: 1.6x3.9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV. Originalprodukt vom Hersteller Vishay (general Semiconductor). Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 09:25.

Technische Dokumentation

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Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. V...
BAT86S
Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BTA86S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. Abmessungen: 3.9x1.6mm. RoHS: ja. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 900mV. Durchlassspannung Vf (min): 300mV
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