Menge (Set mit 10) | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 0.62€ | 0.74€ |
2 - 2 | 0.59€ | 0.71€ |
3 - 4 | 0.56€ | 0.67€ |
5 - 9 | 0.54€ | 0.65€ |
10 - 24 | 0.52€ | 0.62€ |
25 - 49 | 0.49€ | 0.59€ |
50 - 104 | 0.47€ | 0.56€ |
Menge (Set mit 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.62€ | 0.74€ |
2 - 2 | 0.59€ | 0.71€ |
3 - 4 | 0.56€ | 0.67€ |
5 - 9 | 0.54€ | 0.65€ |
10 - 24 | 0.52€ | 0.62€ |
25 - 49 | 0.49€ | 0.59€ |
50 - 104 | 0.47€ | 0.56€ |
NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - BC212B. NPN-Transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 280 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Widerstand B: PNP-Transistor. BE-Widerstand: -50V. C(in): -0.1A. Kosten): 1W. Bestandsmenge aktualisiert am 23/07/2025, 10:25.
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