Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BCY59

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BCY59. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 100mA. Ic(Impuls): 200A. Pd (Verlustleistung, max): 0.34W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 12:25.

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Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 220. Minimaler hFE-Gewinn: 90. Kollektorstrom: 0.1A. Ic(Impuls): 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556A. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS
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