BD139-16

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10 - 24	0.30€	0.36€
25 - 49	0.29€	0.35€
50 - 99	0.22€	0.26€
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BD139-16. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1.5A. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140-16. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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BD139-16-CDIL

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn:...

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