Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD139-16

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD139-16
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NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD139-16. NPN-Transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): TO-126. Kosten): SOT-32. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 3A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140-16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Originalprodukt vom Hersteller STMicroelectronic. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.

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BD139-16-CDIL

BD139-16-CDIL

NPN-Transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126F. Gehäus...
BD139-16-CDIL
NPN-Transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126 plastic. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140-16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
BD139-16-CDIL
NPN-Transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126 plastic. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 2A. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 12.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD140-16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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