Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BD437. Kollektorstrom: 4A. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 45V. Leistung: 36W. Max Frequenz: 3MHz. Gehäuse: TO-126. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 45V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD438. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

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Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-32. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD440. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Kollektorstrom: 4A. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-32. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD440. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)
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