Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren NPN-Bipolartransistoren

NPN-Transistor, 45V, 4A, TO-126 - BD437

NPN-Transistor, 45V, 4A, TO-126 - BD437
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NPN-Transistor, 45V, 4A, TO-126 - BD437. NPN-Transistor, 45V, 4A, TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 45V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126. Transistortyp: NPN Leistungstransistor. Polarität: NPN. Leistung: 36W. Max Frequenz: 3MHz. Originalprodukt vom Hersteller Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 04/09/2025, 04:56.

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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-32. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD440. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V
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NPN-Transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-32. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Ic(Impuls): 7A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD440. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V
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