Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDX34C

NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDX34C
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NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDX34C. NPN-Transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Diode: NINCS. BE-Widerstand: 150 Ohms. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX33C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller Various. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 22:25.

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NPN-Transistor, PCB-Löten, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW94C. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: komplementärer Transistor (Paar) BDW93C. Ic(Impuls): 15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V
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