Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

BDX34C

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BDX34C. Widerstand B: 10k Ohms. BE-Widerstand: 150 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 2. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. C(in): ja. Kosten): -100V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX33C. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: PNP Darlington Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BDW94C. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: komplementärer Transistor (Paar) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms
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